Продолжая историю успешного сотрудничества в полупроводниковых технологиях с уровнями детализации 130 нм (2001 г.), 90 нм (2002, 2004 гг.), 65 нм (2005 г.) и 45 нм (2007 г.) Panasonic и Renesas Technology объявили о начале совместной работы над созданием «системы-на-чипе» (SoC), основанной на 32-нанометровом процессе. Обе компании выражают уверенность, что их технологии разработки транзисторов с техпроцессом 32 нм вскоре будут применяться в продуктах с массовым выпуском.

Ожидается, что благодаря уплотнению схем новые SoC обеспечат снижение себестоимости и более высокую производительность, однако для этого необходимо разрешить ряд серьезных технологических проблем, таких как утечка через транзисторный затвор и нестабильность электрических характеристик материалов.

Для нового SoC-процесса компании используют недавно разработанную структуру затвора metal/high-k и инновационный материал ultra-low-k. Новинка создана на базе технологии CMIS (complementary metal-insulator semiconductor) и имеет сверхтонкую пленку оксида кремния в качестве изоляционого слоя затвора.

Последние наработки в этой сфере найдут применение в создании SoC, предназначенных для установки в мобильные устройства и продукты потребительской электроники.