Вместе со своими партнерами по программе совместной разработки - компаниями AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba и колледжем CNSE (College of Nanoscale Science and Engineering) с наиболее совершенным университетским R&D-комплексом в области наноэлектроники в мире - IBM анонсировала первую функционирующую статическую память (SRAM) с уровнем детализации 22 нм. Изготовленное на заводе в Олбани (штат Нью-Йорк) из 300-миллиметровых пластин, оно представляет второе поколение полупроводниковых технологий по отношению к используемым сейчас и 32-нанометровым, планируемым к внедрению.

Чипы памяти традиционно рассматриваются как промежуточный этап на пути применения новых производственных процессов к более сложным устройствам, наподобие микропроцессоров.

Площадь одной ячейки новой SRAM, имеющей обычную шеститранзисторную конструкцию, составляет 0,1 мкм². Помимо уменьшения масштаба, инженеры проекта выполнили большую работу по оптимизации структуры схем для улучшения устойчивости функционирования SRAM и воплотили в ней ряд технологических инноваций, включая транзисторы с длиной затвора менее 25 нм, усовершенствованные методы активации, сверхтонкий силицид и орнаментированные (damascene) медные контакты. Подробнее об этом будет рассказано на ежегодной конференции IEDM в Сан-Франциско в декабре 2008 г.